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国产突破!盛美上海多款HBM核心设备落地-芯城品牌采购网

在HBM(高带宽存储)成为AI算力核心“命门”、全球产能供不应求的背景下,国产设备厂商传来重磅喜讯。12月8日,盛美上海在互动平台透露,公司已推出多款适配HBM工艺的核心设备,覆盖从制造到封测的关键环节,成功打破海外设备垄断格局。作为HBM工艺的核心装备之一,盛美上海的UltraECP3d三维堆叠电镀设备表现亮眼,专门攻克HBM关键的TSV(硅通孔)铜填充难题。该设备性能达到国际顶尖水平,支持50

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存储芯片巨头三星调整架构,HBM业务战略升级-芯城品牌采购网

11月27日,三星电子一则组织架构调整公告搅动全球存储市场——成立仅一年多的HBM(高带宽内存)特别开发团队正式解散,相关人员与研发业务全部并入DRAM开发部门旗下的设计团队。韩媒BusinessKorea于11月28日披露,这一变动在三星高管通报会上正式官宣,标志着其HBM业务从“应急攻关”阶段迈入“常态化发展”新阶段。此次调整的核心脉络清晰可见:原HBM团队负责人孙永秀副社长,将出任DRAM部

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三星调整存储战略!加码DRAM暂缓HBM-芯城品牌采购网

存储市场格局生变。11月19日,据行业消息披露,三星电子正对存储业务进行重大战略转向:在DRAM价格两个月暴涨60%的红利期,全力加码通用型DRAM产能以抢占利润高地,同时暂缓高带宽存储器(HBM)的扩张计划。这一“弃长就短”的决策,直指“盈利最大化”的核心目标。当前DRAM市场的火爆行情,成为三星战略倾斜的直接诱因。DDR5、LPDDR5X、GDDR7等主流产品价格持续攀升,以三星32GBDDR

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DDR5内存涨势不止,2026年利润将反超HBM3e-芯城品牌采购网

10月30日,市场研究机构TrendForce发布最新报告,指出受全球云服务商(CSP)数据中心扩容驱动,服务器DRAM市场迎来涨价潮,DDR5内存价格持续攀升,预计2026年第一季度起盈利能力将首次超越HBM3e,改写内存市场利润格局。第四季度服务器DRAM合约价涨势强劲,供应商因订单激增上调报价意愿强烈。TrendForce已将传统DRAM价格增长预期从8%-13%大幅上修至18%-23%,且

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10月29日,SK海力士(SKHynixInc.)公布2025年第三季度财报,显示公司营业利润同比大幅增长62%,达到创纪录的11.4万亿韩元(约合80亿美元),略高于市场分析师的平均预期;同期销售额也上升至24.5万亿韩元。消息公布后,SK海力士股价在首尔早盘一度上涨5%。公司在声明中表示,受人工智能(AI)应用带动的存储器需求激增影响,DRAM与NAND闪存产品的订单已排至明年。特别是高带宽存

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速度优势是HBM产品成功的关键-芯城品牌采购网

高带宽存储器(HBM,HighBandwidthMemory)是一种可以实现高带宽的高附加值DRAM产品,适用于超级计算机、AI加速器等对性能要求较高的计算系统。随着计算技术的发展,机器学习的应用日渐广泛,而机器学习的基础是自20世纪80年代以来一直作为研究热点的神经网络模型。作为速度最快的DRAM产品,HBM在克服计算技术的局限性方面发挥着关键的作用。HBM的高带宽离不开各种基础技术和先进设计工

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